Модуль памяти Samsung 8GB DDR5 5600MHz SO-DIMM Non-ECC CL46 1.1В 1Rx16 Bulk [M425R1GB4PB0-CWM]
307083
Авторизуйтесь
- — Чтобы видеть цены и делать заказы, войдите в личный кабинет, или зарегистрируйтесь
Информация
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Наличие товара Samsung 8GB [M425R1GB4PB0-CWM]
Описание Samsung 8GB [M425R1GB4PB0-CWM]
Характеристики
| Основные характеристики | |
| Тип | Модуль памяти |
| Модель | M425R1GB4PB0-CWM |
| Назначение | для ноутбуков |
| Тип памяти | Unbuffered |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Стандарт памяти | DDR5 |
| Объем одного модуля, ГБ | 8 |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 |
| Суммарный объем, ГБ | 8 |
| Эффективная частота, МГц | 5600 |
| Пропускная способность, Мб/с | 44800 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Низкопрофильная | Нет |
| Игровая (для геймеров) | Нет |
| Количество чипов на модуле, шт | 4 |
| Количество ранков | 1 |
| Количество контактов | 262 |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 46 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 46 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 46 |
| Прочие характеристики | |
| Напряжение питания, В | 1.1 |
| Наличие радиатора | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Вид поставки | OEM |
| Комплект поставки | Модуль памяти |
Обратите внимание
Внешний вид, комплектация и характеристики товара могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.